Исследователи из Московского физико-технического института заново открыли материал, который мог бы стать основой для сверхскоростного квантового Интернета, пишет phys.org. Их исследование показывает, как увеличить скорость передачи данных в безоговорочно защищенных квантовых линиях связи до более чем 1 Гбит / с., делая квантовый интернет таким же быстрым, как и его классический аналог.
Исследователи МФТИ изучил физику электролюминесценции центров окраски в карбиде кремния и разработали теорию однофотонного излучения при электрическом впрыске. Основываясь на этой теории, исследователи смогли улучшить однофотонный излучающий диод на основе карбида кремния так, чтобы он мог излучать до нескольких миллиардов фотонов в секунду. С его помощью можно реализовать протоколы квантовой криптографии при скорости передачи данных порядка 1 Гбит / с.
Также, однофотонные источники на основе карбида кремния совместимы с технологией CMOS, которая является стандартом для производства электронных интегральных схем. Это делает карбид кремния, безусловно, самым перспективным материалом для создания практичных сверхширокополосных безошибочно защищенных линий передачи данных.

Исследователи из Московского физико-технического института заново открыли материал, который мог бы стать основой для сверхскоростного квантового Интернета, пишет phys.org. Их исследование показывает, как увеличить скорость передачи данных в безоговорочно защищенных квантовых линиях связи до более чем 1 Гбит / с., делая квантовый интернет таким же быстрым, как и его классический аналог.

Исследователи МФТИ изучил физику электролюминесценции центров окраски в карбиде кремния и разработали теорию однофотонного излучения при электрическом впрыске. Основываясь на этой теории, исследователи смогли улучшить однофотонный излучающий диод на основе карбида кремния так, чтобы он мог излучать до нескольких миллиардов фотонов в секунду. С его помощью можно реализовать протоколы квантовой криптографии при скорости передачи данных порядка 1 Гбит / с.

Также, однофотонные источники на основе карбида кремния совместимы с технологией CMOS, которая является стандартом для производства электронных интегральных схем. Это делает карбид кремния, безусловно, самым перспективным материалом для создания практичных сверхширокополосных безошибочно защищенных линий передачи данных.

Подробнее читайте на kapital-rus.ru ...