Прорыв в микроэлектронике. Ученые разработали новый процесс осаждения атомных слоев

2020-10-27 16:46

Новый способ нанесения тонких слоев атомов в качестве покрытия на материал подложки при температуре, близкой к комнатной, был изобретен в Университете Алабамы в Хантсвилле (UAH), входящем в систему Университета Алабамы.

Подробнее читайте на ...

прорыв микроэлектронике ученые разработали процесс осаждения атомных слоев