Китайские ученые представили графеновую флеш-память PoX, превосходящую DRAM и SRAM по скорости
Китайские ученые из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти PoX, способный записывать данные за 400 пикосекунд, что превосходит современные DRAM и SRAM и обеспечивает энергонезависимую работу благодаря графеновому каналу. vz.ru »
