Прорыв в микроэлектронике. Ученые разработали новый процесс осаждения атомных слоев
Новый способ нанесения тонких слоев атомов в качестве покрытия на материал подложки при температуре, близкой к комнатной, был изобретен в Университете Алабамы в Хантсвилле (UAH), входящем в систему Университета Алабамы. kapital-rus.ru »
























